A primma vivagna de luxe à LED, ch’a deuvia o prinçipio d’emiscion de luxe-de unna giunçion semiconduttô P-N, a l’é stæta inventâ a-o comenso di anni ’60. O materiale deuviou à quelli tempi o l’ea GaAsP, ch’o l’emetteiva da luxe rossa (λp=650nm). Con unna corrente de conduçion de 20 mA, o flusso lumminoso o l’ea solo pöche miggiæa parte de un lumen, co-o resultato de unn’efficaçitæ lumminosa de 0.1 lumen/watt pöcassæ.
A-a meitæ di anni ’70, l’introduçion di elementi In e N a l’à permisso a-i LED de produe da luxe verde (λp=555nm), giana (λp{2}}nm) e à cô de çetron (λp{3}}nm) e a reisa lumminosa a l’é stæta megioâ à 1 lumen/watt.
Inti primmi anni ’80 l’é vegnuo feua de vivagne de luxe à LED GaAlAs, che permettan a-i LED rosci de razzonze unn’efficaçitæ lumminosa de 10 lumen/watt.
Inti primmi anni ’90, o sviluppo de successo de doî neuvi materiali-GaAlInP (che emettan luxe rossa e giana) e GaInN (che emettan luxe verde e bleu)-o l’à megioou scignificativamente l’efficaçitæ lumminosa di LED. Do 2000, o primmo o l’à produto di LED con unn’efficaçitæ lumminosa de 100 lumen pe watt inte regioin rosse e à cô de çetron (λp{6}}nm), mentre o segondo o l’à produto di LED con unn’efficaçitæ lumminosa de 50 lumen pe watt inta region verde (λp=530n).
